如何使晶闸管导通、关断?

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要想使正向导通着的普通晶闸管关断,只要()即可。

B、给控制极加反向电压

C、使流过SCR的电流小于维持电流

晶闸管导通的条件是()。

B、仅控制极加正向电压

C、阳极和控制极同时加正向电压

D、阳极和控制极同时加反向电压

晶闸管导通条件是()。

A、阳极与阴极之间加正向电压

B、阳极与阴极之间加反向电压

C、控制极与阴极之间加正向电压

D、控制极与阴极之间加反向电压

E、阳极与控制极间加正向电压

晶闸管关断条件是()。
A、晶闸管承受正向阳极电压
B、晶闸管承受正向门极电压
C、晶闸管阳极施加反向电压
D、晶闸管承受反向门极电压

请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

可控硅导通的条件是()。

A、阳极和阴极间加一定的反向电压,控制极和阴极间加一定的正向电压

B、阳极和阴极间加一定的正向电压,控制极和阴极间加一定的正向电压

C、阳极和阴极间加一定的正向电压,控制极和阴极间加一定的反向电压

D、阳极和阴极间加一定的反向电压,控制极和阴极间加一定的反向电压

一般晶闸管导通后,要使其阻断,则必须()

A.去掉控制极正向电压

B.使阳极与阴极间的正向电压降到零或加反向电压

请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

晶闸管可控硅导通的条件为()。
A、在阳极和阴极之间加上正向电压
B、在控制极上加上适当的正向电压
C、在阳极和阴极之间加上正向电压,在控制极上加上适当的正向电压

单向可控硅导通后,要使其关断,应采取()措施。
A.阴阳极之间加正向电压
B.阴阳极之间加正向电压
C.减小触发极触发电压
D.减小触发极触发电流

请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

可控硅只有在()加正向电压和控制要加适正向控制电压的情况下才能导通。

请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

1﹒使晶闸管导通的条件是什么?

2﹒维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?

3﹒图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im,试计算各波形的电流平均值Id1﹑Id2﹑Id3与电流有效值I1﹑I2﹑I3.

4﹒上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1﹑Id2﹑Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1﹑Im2﹑Im3各为多少?

5﹒GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?

6﹒如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏?

7﹒IGBT﹑GTR﹑GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

8﹒全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。

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如图的,有几个问题请教:
1.我的脚只能控制导通和关断,那么负载的功率是怎么调节的呢?
2.想要实现在220v连接的情况下我的负载不工作,要满足什么条件?

想要实现在220v连接的情况下我的负载不工作,要满足什么条件?

单片机持续输出低电平。

我的单片机脚只能控制导通和关断,那么负载的功率是怎么调节的呢?

感谢回答,但是我还是不太理解。
我单片机管脚低,光耦导通后,负载电路是怎么工作的呢?然后引脚拉高,负载电路又是如何工作的呢?
我的理解是:我的电路只有两种状态,就是随着我的单片机引脚高或者低变化,但是负载功率怎么变化的我就不太清楚了。

您能给我详细解释下原理吗非常感谢

单片机管脚为低电平,光耦关断,不是导通。

“我的理解是:我的电路只有两种状态,就是随着我的单片机引脚高或者低变化,但是负载功率怎么变化的我就不太清楚了”

你的单片机引脚只有两种状态,没有错。一种状态是引脚高电平,另一种引脚是低电平。
但双向晶闸管并非是在你的单片机引脚高电平时导通,低电平时关断。双向晶闸管一旦导通,除非流过晶闸管的电流小于晶闸管维持电流(此维持电流通常相当小),晶闸管将保持导通,即使你的单片机引脚已经变成低电平,光耦已经关断。
估计你还没有把晶闸管工作特性搞清楚。

我说反了,单片机管脚高电平光耦导通,低电平光耦截止。
那么光耦导通和关断电路分别是什么工作情况呢?

是的,我就是对可控硅这块不熟悉。我最迷糊的地方是:负载功率是怎么变化的?是有规律的变化的吗?假如我想实现负载分别在 200w 300w 500w的功率工作,我该怎么做?

光耦在某时刻导通,双向晶闸管也在市电电压下导通。光耦从导通变为关断,晶闸管却不一定立即关断,如果流过晶闸管的电流大于晶闸管维持电流,晶闸管将继续导通,到晶闸管中电流不能够维持晶闸管导通时晶闸管才关断。

“假如我想实现负载分别在 200w 300w 500w的功率工作,我该怎么做?”

根据交流市电电压(是时间的正弦函数)和你的负载(从首帖电路看是电阻)以及你要求的功率,计算晶闸管导通角。单片机检测交流过零时刻,然后根据计算出来的导通角在交流半个周期内某一时刻将引脚变高电平(目的是令晶闸管从关断变为导通)再变低电平。

谢谢您,我先试试看,有不懂的我再请教

你要有个市电过零检测电路 才好做调压

但是我们的产品好像没有这个电路,而且我们对负载只有两个功率要求,一个满功率一个低功率,我现在的电路能实现吗?我对模拟电路不太了解

那你试试占空比50% 测试下功率

比如我现在需要在满功率500w和低功率200w下分别工作,我的工作流程应该是怎样的呢?

你的负载应该保证全电压情况(220V电压全部加在负载上)功率恰好500W。
如果每个交流市电半周期(10ms)内晶闸管全部时间都导通,负载自然得到500W功率。
如果每个交流市电半周期(10ms)内晶闸管是在交流过零后5ms时刻导通,那么负载得到功率就是250W(因为负载只有一半时间得到功率)。

一种是从微观角度调整可控硅在每个波周期导通相位角调功率;一种是从宏观角度出发,调整单位时间功率。第一种要用同步信号(过零检测),第二种不需要。第一种效果比较平滑,可以用于纯电阻负载,也可以用于电感负载。第二种用于电感负载(比如电机)就不好,甚至不行。前面众坛友都详细叙述过了。

您说的这个原理我能理解,我现在还没有弄清楚的是以下几点:
1.我的负载额定值是 220V 3A ,但是我想实现的是500w和200w,那么我这两个参数在电路中怎么能得到呢?

2.我单片机怎么知道应该在哪个时刻导通光耦呢?或者说我的控制逻辑应该是什么样?

  • 负载额定值是 220V 3A那么额定功率就是660W,你需要200W和500W是额定功率的30.3%和75.75%,只要单片机输出占空比为30.3和75.75的PWM信号就可以了

首先你得有一个给单片机的交流电过零信号,然后单片机根据过零信号进行移相或者延时,输出控制脉冲。
这样就可以实现通过控制导通角调节负载功率。
220V连负载,你不输出触发脉冲,那么负载就不会工作。

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