尼康2.5版本机内有没有芯片?

尼康Z 9旗舰相机的出现,正式打响了三巨头的旗舰级无反相机的市场争夺战役,但显而易见的尼康Z 9相当受欢迎,直到今天依旧是一机难求的情况,为了让大家更好的了解一下这款相机,最近找到了kolarivision对于尼康Z 9的拆机内容,一起看看这款新机的内部到底是个什么样子?

因为图片太多,这里直接给大家生成了一个视频,方便大家完整浏览。

简单概括一下,这款新机采用了更大的机身设计,内部空间充足,虽然与我们常规小巧轻便的微单相机有所区别,但其功能性上要优秀很多,完全是旗舰机级别的。

在整体设计上,尼康Z 9还是充分的考虑了机身轻便,很多设计与其他家有所不同,例如:无机械快门设计,在设计上有考虑到方便组装和之后维护的便利性。

在卡槽等接口部分做了很好的密封设计,可以在恶劣的环境下增加安全性,防止意外的发生。

尼康Z 9所采用的3.2英寸LCD屏的打开方式设计的很有趣,可实现4方向展开,并没有参考索尼A1或佳能EOS R3,而是采用了自己独特的设计,这种设计考虑到旗舰机的高速连拍需要,同时也针对横竖拍摄体感进行了优化设计,可以应对大多数拍摄环境的使用需要,也更加符合旗舰级的身份,不过对于喜欢自拍的用户这个屏幕可能有些尴尬(比较怀疑,有人用Z 9自拍的吗?)!

中间线缆,螺丝的拆解就直接跳过了,说说比较重要的防抖机构,Z 9为了应对全画幅传感器,为其搭配了防抖机构,这也让其变得更加巨大,但有趣的是,尼康Z 9的防抖机构关机后是不会晃动的,并未像其他带有防抖的机型那样设计,这样的好处自然是减少损坏的风险。

光刻机作为芯片制造工艺中必不可少的一环一直备受各方关注,特别是在如今全球芯片极度短缺的前提下,谁能拿到更多的光刻机就意味着能够提供更大的产能,进而在未来的芯片市场上占有更多的份额和话语权。

在全球范围内目前有四家企业能够制造出光刻机,而只有ASML可以制造出EUV光刻机,也正是凭借这一技术使得ASML的市值水涨船高,目前已经突破了3500亿美元,成为了欧洲市值最高的科技公司。

最近ASML对我们的态度发生了微妙的变化——在11月5日开始举办的第四届中国国际进口博览会上,ASML全球副总裁、中国区总裁沈波表示:“对向中国出口集成电路光刻机持开放态度,在法律法规框架下全力支持。目前ASML除了EUV光刻机无法对中国客户供货外,其他产品都可以正常发货。”这也就意味着DUV光刻机已经彻底放开了限制。为什么ASML突然改变了态度?

人工智能的浪潮还没有过去,新能源汽车又汹涌而至,再加上突然火爆起来的元宇宙,芯片的需求开始出现爆炸式增长,现有的芯片制造企业已经无法负担起如此大的任务。除了少数的手机、显卡芯片以外,28nm及以上的车载芯片、物联网芯片同样面临爆炸式增长的需求。

而芯片制造最重要的就是电力和水资源,目前无论是台积电还是三星都已经遇到了产能扩张的瓶颈,相反大陆则有充足的电力和水力资源,再加上便利的基础设施,因此ASML选择放开针对国内的DUV光刻机的限制无疑会加速中国的芯片生产,进而缓解全球缺芯的问题。

在ASML之前,尼康和佳能才是光刻机领域的霸主,尼康曾经研制出全球第一台32nm光刻机和第一台22nm光刻机。但是后来随着日美半导体战争的影响,英特尔、AMD、摩托罗拉和ASML组成了EUV技术联盟,而尼康和佳能则被排除在外。

EUV技术联盟推进了EUV光刻机的发展,同时英特尔、三星和台积电还分别收购了ASML40%、15%和10%的股份,因此这三大巨头也逐渐放弃了尼康和佳能生产的光刻机而转向了ASML的光刻机。这也奠定了如今ASML在光刻机领域霸主的地位。

但是尼康和佳能并未就此放弃光刻机研发,而是试图绕过EUV技术,通过叠加精度和提高吞吐量来提高浸入式光刻机的生产力。尼康最新一代的NSR-S636E ArF 浸入式光刻机虽然不是EUV光刻机,但同样也具备5nm芯片的制造能力。

如今ASML放开DUV光刻机也是为了应对尼康和佳能这两个老对手的挑战,提前抢占市场防止它们对自己进行威胁。

ASML放开DUV光刻机销售的另一个重要原因则是国产可用于28nm芯片制造的193nm ArF准分子激光的干式和浸没式DUV光刻机即将下线。由上海微电子协同中科院长春光机所(EUV极紫外光源)、中国科学院化学研究所、中国科学院理化技术研究所、北京科华微电子材料有限公司(EUV光刻胶)、长春国科精密光学(高NA浸没光学系统)、清华大学、华卓精科(光刻机双工件台系统)、中环股份(区熔硅单晶片产业化技术)等科研企业共同完成。

这台凝聚了无数辛勤和汗水的光刻机也意味着我们成为了荷兰和日本之后,第三个拥有生产28nm光刻机能力的国家。ASML此时放开DUV光刻机的一个重要原因就是我们马上就能生产了,因此继续限制已经没有意义,还不如提前放开低价抢占市场,这也是西方国家一贯的做法。

虽然ASML放开DUV光刻机对我们的芯片制造企业来说是一件好事,但是也应该继续保持警惕。首先ASML只是放开了DUV光刻机的限制,EUV光刻机依然受限;其次则是我们不能放弃进一步的研发,虽然ASML的DUV光刻机很可能比国产的DUV光刻机便宜,但这也是因为我们能造了,所以ASML才会卖得如此便宜。

一旦我们因为贪图一时的小利而放弃警惕,那么曾经的限制必然会再次施加在我们身上。只有坚持自主研发才是唯一正确的道路。

我国在芯片制造领域取得新突破!

  经过近七年艰苦攻关,“超分辨光刻装备研制”项目通过验收。这意味着,现在中国有了“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。  

  换句话说,我国科学家研制成功了一种非常强大的光刻机。  

  光刻机,那可是芯片制造的核心装备。我国一直在芯片行业受制于人,在光刻机领域更是如此,时常遭遇国外掐脖子、禁售等种种制约。  

  对于这次的突破,验收专家组的意见是:  

  “该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国外相关知识产权壁垒。”  

  消息一出,很多人都纷纷称赞,但大多数都是不明觉厉,当然也有人说是吹牛。这个消息背后,到底意味着什么呢?  

  这个突破亮点很多,其中最值得关注的有几个点,量子位简单总结如下:  

  这个国产的光刻机,采用365纳米波长光源,属于近紫外的范围。

  通常情况下,为了追求更小的纳米工艺,光刻机厂商的解决方案是,使用波长越来越短的光源。ASML就是这种思路。  

  现在国外使用最广泛的光刻机的光源为193纳米波长深紫外激光,光刻分辨力只有38纳米,约0.27倍曝光波长。

  这台国产光刻机,可以做到22纳米。而且,“结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10纳米级别的芯片”。  

  也就是说,中科院光电所研发的这台光刻机,用波长更长(近紫外)、成本更低(汞灯)的光源,实现了更高的光刻分辨力(0.06倍曝光波长)。  

  项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松在接受《中国科学报》采访时,打了一个比方:“这相当于我们用很粗的刀,刻出一条很细的线。”这就是所谓的突破分辨力衍射极限。

  因此,它也被称为世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备。  

成本:高端设备“白菜价”

  波长越短,成本越高。  

  为获得更高分辨力,传统上采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机,但问题在于不仅技术难度极高,装备成本也极高。

  ASML最新的第五代光刻机使用波长更短的13.5纳米极紫外光(EUV),用于实现14纳米、10纳米、及7纳米制程的芯片生产。  

  一台这样的光刻机售价1亿美元以上。  

  而中科院光电所这台设备,使用波长更长、更普通的紫外光,意味着国产光刻机使用低成本光源,实现了更高分辨力的光刻。

  有网友评价称,中国造的光刻机说不定和其他被中国攻克的高科技设备一样,以后也成了白菜价。  

突破:破局禁运,弯道超车

  这台光刻机的出现,还有另一个重要的意义。  

  这里我们引用央广的报道:  

  “超分辨光刻装备项目的顺利实施,打破了国外在高端光刻装备领域的垄断,为纳米光学加工提供了全新的解决途径,也为新一代信息技术、新材料、生物医疗等先进战略技术领域,基础前沿和国防安全提供了核心技术保障。  

  项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松介绍:“第一个首先表现于我们现在的水平和国际上已经可以达到持一致的水平。分辨率的指标实际上也是属于国外禁运的一个指标,我们这项目出来之后对打破禁运有很大的帮助。”

  “第二个如果国外禁运我们也不用怕,因为我们这个技术再走下去,我们认为可以有保证。在芯片未来发展、下一代光机电集成芯片或者我们说的广义芯片(研制领域),有可能弯道超车走在更前面。””  

  当然,我们也不能头脑发热。  

  这个设备的出现,并不意味着我国的芯片制造立刻就能突飞猛进。一方面,芯片制造是一个庞大的产业生态,另一方面中科院光电所的光刻机还有一定的局限。  

  据介绍,目前这个装备已制备出一系列纳米功能器件,包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等,验证了该装备纳米功能器件加工能力,已达到实用化水平。  

  也就是说,目前主要是一些光学等领域的器件。  

  不过也有知乎网友表示“以目前的技术能力,只能做周期的线条和点阵,是无法制作复杂的IC需要的图形的”。  

  这一技术被指“在短期内是无法应用于IC制造领域的,是无法撼动ASML在IC制造领域分毫的……但形成了一定的威胁,长期还是有可能取得更重要的突破的。”  

中国光刻机制造落后现状

  目前国际上生产光刻机的主要厂商有荷兰的ASML、日本的尼康、佳能。其中,数ASML技术最为先进。  

  国内也有生产光刻机的公司,比如上海微电子装备,但技术水平远远落后于ASML。  

  上海微电子装备目前生产的光刻机仅能加工90纳米工艺制程芯片,这已经是国产光刻机最高水平。而ASML已经量产7纳米制程EUV光刻机,至少存在着十几年的技术差距。  

  光刻机是制造芯片的核心装备,过去一直是中国的技术弱项。光刻机的水平严重制约着中国芯片技术的发展。我们一直在被“卡脖子”。  

  国内的芯片制造商中芯国际、长江存储等厂商不得不高价从ASML买入光刻机。  

  今年5月,日经亚洲评论曾报道,中芯国际向国际半导体设备大厂ASML下单了一台1.2亿美元的EUV光刻机,预计将于2019年初交货。  

  另外,长江存储今年也从ASML买入一台浸润式光刻机,售价高达7200万美元。  

  那么,所谓的光刻机到底是啥?  

  光刻机,芯片制造的核心设备之一。中科院光电所的胡松、贺晓栋在《中科院之声》发表的一篇文章中这样介绍它的重要性:  

  “后工业时代包括现在的工业3.0、工业4.0,都以芯片为基础,光刻机作为制造芯片的工具,就相当于工业时代的机床,前工业时代的人手。”  

  但比较特殊的是,光刻机以光为“刀具”。具体来说,工艺流程大致是这样的:  

  “在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶,再用光线透过掩模照射在硅片表面,被光线照射到的光刻胶会发生反应。  

  此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶, 就实现了电路图从掩模到硅片的转移。”  

  引自:《一文看懂光刻机》,华创证券  

  这只是一个简化的过程,通常情况下,想要用光刻机制造出一个芯片,需要在极其细微的结构上进行上百次套刻和数千道工艺,需要几百种设备才能完成。  

  这次中科院研制成功的光刻机,能力达到了22纳米。这是什么概念呢?中科院的文章中提到了一个对比:  

  “头发的直径约为80微米,22纳米是头发直径的1/3600。也就是说,这个光刻机能够在头发表面加工各种复杂的结构。”  

  这台光刻机,是谁研发出来的?  

中科院光电所的7年探索

  这台光刻机背后的研究机构是中科院光电所。  

  带头完成这项研发任务的,是中科院光电所所长、超分辨光刻装备项目首席科学家、中国科学院大学教授&博导罗先刚研究员。

  罗先刚在光电领域的学术地位从他的一长串title中可见一斑:  

  微细加工光学技术国家重点实验室主任,国家973计划首席科学家,曾获2016年度国家技术发明一等奖,2017年中国工程院院士增选有效候选人,国家杰出青年科学基金获得者,中组部首批万人计划科技领军人才、2009年“新世纪百千万人才工程”国家级人选,2004年中科院“百人计划”入选者,中国光学学会、美国光学学会、国际光学工程学会、国际光电子与激光工程学会四大学会成员(Fellow)。

  从1995年在中科院光电技术研究所读硕士开始,罗先刚已经从事光电领域20余年了,在中科院光电技术研究所读完硕士和博士后,他去了日本理化学研究所做博士后和研究科学家。  

  2004年,罗先刚回到了他读书的中科院光电技术研究所,开始担任研究员。20余年的光电学术之路上,他不仅发表了SCI收录论文100余篇,还带出了数十名优秀的硕士博士生。  

  项目副总师胡松也是中科院光电技术研究所的研究员、中国科学院大学博导,在光学投影曝光微纳加工技术、 微细加工光刻技术有丰富的经验,享受国务院政府津贴,曾主持多个国家级、部委级、省级科研项目,发表十余项专利技术。  

  中科院光电所完成这项计划用了7年。  

  根据经济日报报道,2012年,中科院光电所承担了超分辨光刻装备这一国家重大科研装备项目研制任务,当时并没有任何国外成熟经验可借鉴。  

  7年来,项目组突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术,完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制,其采用365纳米波长光源,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米(约1/17曝光波长)。  

  在此基础上,项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺,实现了10纳米以下特征尺寸图形的加工。  

  另外,这个项目还发表了论文68篇,申请国家发明专利92项,其中授权47项,申请国际专利8项,授权4项,为国家培养了一支超分辨光刻技术和装备研发团队。  

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