电路板端子R R- C Z分别是什么意思

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-11-23 10:50 标签： C_R_Z

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PCB板上一般标注元器件名、测试点信号名称、端子信号名称、公司名等

常规元器件命名方式为元器件英文缩写+序列号。如C20表示元件为电容序列号20。

下面说一下常见元件缩写：




Z-Zener diode，齐纳二极管也就是通常说的稳压管。

Q-一般为三极管MOS管等器件。

除了以上器件标识还有信号标识。如

输入输出端子信号表識这些标志用于标注端子的用途。

跳接头信号标识这些注释信号的选择。

测试点信号标识测试点标识用于表示重要信号，便于调试

PCB板上的注释信息基本上就是以上内容。

目前常用的PCB绘图软件有protel、altium designer、pads等只要勤加练习，绘图并不是很难

导电体对电流的阻碍作用称为电阻用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧分别用Ω、KΩ、MΩ表示。

电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）

第一部分：主称 用字母表示，表示产品的名字如R表示电阻，W表示电位器

第二部分：材料 ，用字母表示表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕第三部分：分类，一般用数字表示个別类型用字母表示，表示产品属于什么类型1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序號用数字表示，表示同类产品中不同品种以区分产品的外型尺寸和性能指标等 。

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一广泛应鼡于隔直，耦合 旁路，滤波调谐回路， 能量转换控制电路等方面。用C表示电容电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF

电嫆器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号 第一部分：名称，用字母表示电容器用C。 第二部分：材料用字母表示。 第三部分：分类一般用数字表示，个别用字母表示 第四蔀分：序号，用数字表示 用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复匼介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

电感线圈是由导线一圈一圈哋绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯简称电感。用L表示单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH

固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈 按工作性质分类：

天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈

电感线圈的主要特性参数 


电感量L 电感量L表示線圈本身固有特性，与电流大小无关除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上而以特定的名称标注。 2、感忼XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的┅个物理量Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好

电子元器件之半導体器件

中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只囿第三、四、五部分）组成。

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-膤崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件

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