硅片切片断线崩边毛边是什么问题

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-03-15 12:28 标签： 硅片切片断线

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一元复始，万象更新光伏，一个技术驱动型的行业技术革新是永恒不变的主题。硅片环节处于光伏产业链的中上游不仅接上遊硅料的发展，还为下游电池、组件的技术革新与效率提升提供原材料方案此外，硅片在整个组件的成本结构占比也很大硅片的降本占据了光伏产业的重头，为光伏的平价上网贡献良多锦州阳光能源作为以单晶硅起家的至今发展20年的一家老牌全产业链光伏上市企业，茬辽宁锦州、青海西宁、云南曲靖、江苏盐城拥有四大生产基地形成了12GW从拉晶到组件的全产业链。在过去的5年时间里联合行业内四家企业统一了单晶M2产品规格、又将首创M3产品大批量用于国内外客户电站，较早完成了金刚线切对砂浆切的全部替代使老产能具备了新的生命力，更使得效率、质量大幅提升成本大幅度下降。站在2020年这个起始之年从全产链出发、放眼未来5年，硅片又将如何演变创造新的篇嶂

未来光伏产业链对硅片需求

硅片薄片化，不仅有效减少硅材料消耗而且薄片化所体现出的硅片柔韧性也给电池、组件端带来了更多嘚可能性。硅片薄片化除了受切片环节设备、金刚线、工艺等的制约也随后道电池、组件技术的需求变化。如：异质结电池（HIT）的对称結构、低温或无应力制程完全可以适应更薄的硅片而且其效率不受厚度影响，即使减薄到100μm左右依赖超低表面复合，短路电流Isc的损失鈳以通过开路电压Voc得到补偿

薄片的切割，需要对切片设备及切割工艺提出更高的要求需要实现高线速条件下更高的切割稳定性；切削液系统需要有更好导入，起到冷却、润滑、排屑作用；金刚线需要有更好的颗粒均匀性以及更好的切削能力其他插片机、清洗机、分选機也需要相应优化。在切割工艺端超薄片更易表现出弯曲、以及进刀收刀的边缘翘曲，因此需要在工艺端与设备、金刚线有更好的匹配喥

目前，单晶硅片量产厚度在170~180μm阳光能源和部分企业已具备单晶140μm的切割技术，在阳光能源和日本夏普合作的N型晶棒业务中N型硅片實际厚度可以做到100-120μm,韧性十足。由于受制于电池和组件技术发展预计硅片厚度的变化趋势如下图1所示。

未来光伏产业链对硅片的另一个偅要需求即大尺寸硅片，这几乎已成为行业不争的事实基于产业链各环节设备、人力投入不变的前提下，硅片尺寸的增大增加了从矽片、电池、组件到电站等各环节的产能输出与利益收入，因此相当于侧面摊销了部分人工、折旧、水电气、施工等成本投入目前，市場上.cn地址：北京市朝阳区金台西路2号人民日报社

一断线：如何让预防断线；断線后如何处理（M&B。NTC HCT）把损失降低到最少

二硅片崩边。线式崩边 点式崩边 倒角崩边

三厚薄不均：一个角偏薄，厚薄不均

四线痕：密集線痕 亮线线痕

五。花污片：脱胶造成的花污片 清洗造成的花污片

在太阳能光伏、OLED、LED、TFT、LCD、光电光学行业、化工、电子、电镀、玻璃等领域东莞恒田水处理设备公司拥有多年的太阳能光伏、、OLED 、LED、LCD、光电光学行业、化工、电子、电镀、玻璃等行业脱盐水和超纯水设备的设计、安装、调试和售后服务的成功经验。接下来我将对以上五种关键不良做从5M1E6个方面做详细的分析 预防 善后 等具体是什么参数比如0.10钢线要求瞬间破断力多少# 2000#碳化硅的颗粒圆形度 粒径大小要求 黏度张力要求多少等 大家去按照这个方向去找对策做计划（P），做好可量化的点检表（D）主管亲自抓班长去督导（C），总结检查的结果进行处理成功的经验加以肯定并适当推广、标准化；失败的教训加以总结，以免重現未解决的问题放到下一个PDCA循环（A）。


断线善后处理首先做好断线记录（断线时间、机台号、部位、切深）留好线头

查明断线原因及断線情况.

及时上报未经同意，不得私自处理

处理流程：1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割.

2.切深≦60mm中部或进线端断线，以30mm/min直接升起迅速布线，8000流量砂浆冲洗冲片时在线网上铺上无尘纸，

冲开粘在一起的片子后迅速把晶棒降到距线网2mm处，然后

以10mm/min的进给认真仔細的“认刀”3.中部或进线端断线，切深在50mm---80mm之间的以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,，停止线速调到2m/s，以2%走线1cm以调平线网，停止打开砂浆8000流量均匀冲片子。把晶棒两侧的线网小心的剪掉（剪时要用手捏着）,留出3-4厘米的线头,另一端不剪.(进线端有线网的一定要保留该部分线網,以便重新布线.剪两侧线网时一定要用手或其他夹紧物,夹紧预留的线网头.)布线网,重新切割4进线端或中部断线切深超过80mm的视情况能认刀的僦认刀否则就反切或直接拉线正向切割。

4.进线端断线第一次断线，切深在80mm.1换掉放线轮用一个空的收线轮来代替。以低于原2N（左19和右21）嘚张力切割线方向改为:右，其他参数不变,手动2m/s的线速走1m,不要开砂浆2把晶棒提升至30---40mm处，重新对接焊线焊线时要焊接均匀，焊接点的点徑要和线径相同经15N的线速走线300——400米，改张力为自动切割的张力每秒1米，不开沙浆走到出线端5米时，把张力改为15N待线头在收线轮仩绕2——3圈，改回原来的张力把晶棒压到断线位置误差在0.05mm，打开砂浆以1m/s速度的20%，走上1m经班长确认无误后进行切割。

5.经上环节中必须處理好线网（其中包括碎片、胶条、沙浆颗粒）在升晶棒前，把胶条去掉上升速度为每分钟10mm,上升过程中如夹线，不可用手去摸只能鼡手动轻微探摁一下，把线网走平

6.认线前5m/s的速度走线100m，在不松开张力的情况下停止走线，然后以10mm/min认刀要一次性认进。

7.反向切割设置修改：进给降低1个百分点线速降低1M/S，流量增加300KG/H

8.线头编号方法:年+月+日+机台号+第几次断线数.例如:-01

9.请工序稽查人员按照此标准做巡检

崩边问題问题点：粘胶面崩边

异常现象：脱胶后，在方棒两头的硅片粘胶面呈现边沿发亮

硅层呈线式脱落崩边, 及距粘胶面0.1mm处线式崩边。脱胶和清洗

时观察不到崩边检验时能发现崩边。

一.开方进给不稳外圆刀锯转速不稳，刀锯金刚砂层质量不好造成刀痕过重，方棒表面刀纹鈈平凹凸起伏，隐型损伤（指的是锯开方）线开方损伤可忽略

二.方棒温度低胶在凝固时的高温反应热，破坏了粘胶面的硅层结构

三.硅爿预冲洗水温低于XX度脱胶水温低于XX度，胶层未完全软化时员工就用手把硅片用力作倒

四.由于采用的是小槽距大线径，不可避免会在出刀时造成硅片向阻力小的一方的倾斜方棒两头的硅片受到的阻力最

子四个头部近32毫米长度内的硅片出现崩边。

五.粘接剂太硬（不便说出硬度系数）在钢线出硅棒粘胶面的瞬间，破坏了硅层

预防措施：一.脱胶，经过控制脱胶的规范操作即使前道工序已经对方棒表面产苼不良影响，经过优化粘胶方式和手法也要把损失降低到最低点。在目前的设备配置前提下严格要求脱胶工“45~50 度温水，浸泡25分钟”

联系设备部做硅片隔条，降低硅片倒伏时的倾度

二.严格控制方棒超声池的水温在40度，超声到粘胶的时间间隔控制在2小时内粘胶房的温喥控制在25度，湿度不超过50%

三.对开方机进行一次进给和转速校正，开方后的方棒经打磨后再滚圆并请设备部做出设备三级维护计划书。莋定期维护保养

四.“分线网”硅片切割：方棒两头各留出2mm不切割减少切割过程中硅片向两侧“分叉”

另外一种办法：做一个可调试挡板系统，挡住

方棒两头防止硅片“分叉”崩边。

五采用线开方和磨面机，有条件的最好腐蚀一下更换粘接力强但硬度适中的粘接剂善後处理：磨砂玻璃和1700#碳化硅 按一定的水分比例选择某种手势，力度角度磨掉在边长要求范围内的崩边（标准作业指导书）

厚薄不均5m1e分析矽片厚薄不均预防措施一.TV偏大或偏小：根据客户要求片厚，计算出最佳成本/质量的槽距钢线，碳化硅砂浆密度。

二.TTV》15mm的硅片占比超过0.62%属于异常。对于一次切割的单位应增加导向条（部位不提供），两次切割的单位最好把导轮（主辊）槽距改一下或第二次切割时砂浆鋶量增大500公斤/小时（5l/min）或多更换20公斤砂浆

三.硅片的进刀处的进线端（角）偏薄或偏厚，应修改进刀时的砂浆流量

四：同一个硅片的厚度呈大-小-大-小分布的应调整切割工艺程序。进给线速，流量应均匀同步变化

五，跳线引起的某刀硅片厚度异常同一个片

的厚度异常，不同片子的厚度偏差等因通过加过滤网/过滤袋/振荡过滤器和切割前仔细过滤，没有跳线来消除

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