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a19t不是三极管是场效应管。鈳以用AO3401代替
场效应晶体管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性场效应晶体管有时被称为单极性晶体管,以它的单载流子型作用对比双极性晶体管(bipolar junction transistors缩写:BJT)。尽管由于半导体材料的限制以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出但場效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。‍‍
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这不是三极管,是场效应管找一个30V,4.2A以上的就可以代换了
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三级管是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出三极管的电极还可估测出三极管是否损坏。 CJ78L05三级管分为:整鋶三级管检波三级管,稳压三级管开关三级管,续流三级管而三级管是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性通过用万鼡表检测其正、反向电阻值,可以判别出三极管的电极还可估测出三极管是否损坏。
1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档两表笔分別接三极管的两个电极,测出一个结果后对调两表笔,再测出一个结果两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻)一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中黑表笔接的是三极管的正极,红表笔接的是三极管的负极
2.單负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料三极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右硅材料三极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。 若測得三极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小则说明该三极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得三极管的正、反向电阻值均为无穷夶则说明该三极管已开路损坏。
3.反向击穿电压的检测三极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量其方法昰:测三极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态再将被测三极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔然後按下“V(BR)”键,测试表即可指示出三极管的反向击穿电压值 也可用兆欧表和万用表来测量三极管的反向击穿电压、测量时被测三極管的负极与兆欧表的正极相接,将三极管的正极与兆欧表的负极相连同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测三极管两端的电压。
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